Справочник MOSFET. VS3606AP

 

VS3606AP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3606AP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 106 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для VS3606AP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3606AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1076K  cn vgsemi
vs3606ap.pdfpdf_icon

VS3606AP

VS3606AP30V/106A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.0 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 2.9 m Enhancement modeI D 106 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantTape and reelPart ID Package Type Mark

 7.1. Size:1026K  cn vgsemi
vs3606ad.pdfpdf_icon

VS3606AP

VS3606AD30V/110A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.5 m Enhancement modeI D 110 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3

 7.2. Size:1017K  cn vgsemi
vs3606ae.pdfpdf_icon

VS3606AP

VS3606AE30V/92A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.4 m Very Low on-resistanceI D 92 A Fast Switching 100% Avalanche testPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3606AE PDFN3333 3606AE 5000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specifiedSymbol

 7.3. Size:1035K  cn vgsemi
vs3606atd.pdfpdf_icon

VS3606AP

VS3606ATD30V/140A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 4 m Enhancement modeI D 140 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche TestedTO-263 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3606ATD TO-263 3606ATD

Другие MOSFET... VS3602GPMT , VS3603GPMT , VS3604AT , VS3604DM , VS3604DT , VS3605ABT , VS3606AD , VS3606AE , 13N50 , VS3606AT , VS3606ATD , VS3610AD , VS3610AI , VS3610AP , VS3610GPMT , VS3612GP , VS3614AD .

History: NCEP40T20A | IPB80N04S4-04 | 30N20 | P1004BD | STP10NM60ND | SM4025PSU | AP2328GN

 

 
Back to Top

 


 
.