VS3606AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3606AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 535 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VS3606AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3606AT даташит

 ..1. Size:1047K  cn vgsemi
 vs3606at.pdf pdf_icon

VS3606AT

VS3606AT 30V/140A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 4 m Enhancement mode I D 140 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3606AT TO-220AB 3606AT

 0.1. Size:1035K  cn vgsemi
 vs3606atd.pdf pdf_icon

VS3606AT

VS3606ATD 30V/140A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 4 m Enhancement mode I D 140 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche Tested TO-263 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3606ATD TO-263 3606ATD

 7.1. Size:1026K  cn vgsemi
 vs3606ad.pdf pdf_icon

VS3606AT

VS3606AD 30V/110A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.6 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.5 m Enhancement mode I D 110 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3

 7.2. Size:1076K  cn vgsemi
 vs3606ap.pdf pdf_icon

VS3606AT

VS3606AP 30V/106A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.0 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 2.9 m Enhancement mode I D 106 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Mark

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS3603GPMT, VS3604AT, VS3604DM, VS3604DT, VS3605ABT, VS3606AD, VS3606AE, VS3606AP, RFP50N06, VS3606ATD, VS3610AD, VS3610AI, VS3610AP, VS3610GPMT, VS3612GP, VS3614AD, VS3614AE