VS3606ATD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VS3606ATD
Маркировка: 3606ATD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 140 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 535 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO263
VS3606ATD Datasheet (PDF)
vs3606atd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS3606ATD30V/140A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 4 m Enhancement modeI D 140 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche TestedTO-263 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3606ATD TO-263 3606ATD
vs3606at.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS3606AT30V/140A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 4 m Enhancement modeI D 140 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3606AT TO-220AB 3606AT
vs3606ad.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS3606AD30V/110A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.5 m Enhancement modeI D 110 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3
vs3606ap.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS3606AP30V/106A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.0 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 2.9 m Enhancement modeI D 106 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantTape and reelPart ID Package Type Mark
vs3606ae.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS3606AE30V/92A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.4 m Very Low on-resistanceI D 92 A Fast Switching 100% Avalanche testPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3606AE PDFN3333 3606AE 5000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specifiedSymbol
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![VS3606ATD](https://alltransistors.com/images/us.png)
![VS3606ATD](https://alltransistors.com/images/es.png)
![VS3606ATD](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C