VS3614GP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3614GP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для VS3614GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3614GP даташит

 ..1. Size:897K  cn vgsemi
 vs3614gp.pdf pdf_icon

VS3614GP

VS3614GP 30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 3.7 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.2 m Very low on-resistance I D(Silicon Limited) 60 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 31 A Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Part ID Package Type Marking Packin

 7.1. Size:784K  cn vgsemi
 vs3614ge.pdf pdf_icon

VS3614GP

VS3614GE 30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.8 m Low RDS(on) to minimize conduction losses I D(Wire bond Limited) 31 A VitoMOS Technolog 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS3614GE PDFN3333 3614GE 5000PCS/Reel Ma

 8.1. Size:1043K  cn vgsemi
 vs3614ae.pdf pdf_icon

VS3614GP

VS3614AE 30V/58A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 58 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3614AE PDFN3333 3614AE

 8.2. Size:1012K  cn vgsemi
 vs3614ad.pdf pdf_icon

VS3614GP

VS3614AD 30V/75A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.5 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 75 A Fast Switching and High efficiency TO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3614AD TO-252 3614AD 2500pcs/

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS3610AD, VS3610AI, VS3610AP, VS3610GPMT, VS3612GP, VS3614AD, VS3614AE, VS3614GE, 8N60, VS3615GA, VS3615GE, VS3618AD, VS3618AH, VS3618AP, VS3618AS, VS3620DP2-G, VS3620GA