Справочник MOSFET. VS3615GA

 

VS3615GA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3615GA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.16 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2X0.75-6L
 

 Аналог (замена) для VS3615GA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3615GA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1052K  cn vgsemi
vs3615ga.pdfpdf_icon

VS3615GA

VS3615GA30V/13A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.6 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 13 A VitoMOS TechnologyDFN2x2x0.75-6L Fast Switching and High efficiencyPart ID Package Type Marking PackingVS3615GA DFN2x2x0.75-6L 3615GA 3000pcs/ReelMaximum rating

 7.1. Size:976K  cn vgsemi
vs3615ge.pdfpdf_icon

VS3615GA

VS3615GE30V/40A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.6 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 67 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 40 A Fast Switching and High efficiencyPDFN3333 100% Avalanche TestedPart ID Package Type Marking PackingVS3615GE

 9.1. Size:609K  cn vanguard
vs3618ae.pdfpdf_icon

VS3615GA

VS3618AE 30V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 50 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V PDFN3333 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Packag

 9.2. Size:1009K  cn vanguard
vs3610ae.pdfpdf_icon

VS3615GA

VS3610AE 30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement mode I D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pack

Другие MOSFET... VS3610AI , VS3610AP , VS3610GPMT , VS3612GP , VS3614AD , VS3614AE , VS3614GE , VS3614GP , AO3401 , VS3615GE , VS3618AD , VS3618AH , VS3618AP , VS3618AS , VS3620DP2-G , VS3620GA , VS3620GEMC .

History: DMN3016LK3 | DMN32D2LFB4 | IXTA42N15T

 

 
Back to Top

 


 
.