VS3618AH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3618AH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для VS3618AH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3618AH даташит

 ..1. Size:1161K  cn vgsemi
 vs3618ah.pdf pdf_icon

VS3618AH

VS3618AH 30V/8A N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m Fast Switching I D 8 A High Effective SOT23-6L Part ID Package Type Marking Packing VS3618AH SOT23-6L VS02 3000pcs/reel Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise specified Symbol Parameter Rating Unit V(BR)DSS Drain-

 7.1. Size:609K  cn vanguard
 vs3618ae.pdf pdf_icon

VS3618AH

VS3618AE 30V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 50 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V PDFN3333 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Packag

 7.2. Size:928K  cn vgsemi
 vs3618ae.pdf pdf_icon

VS3618AH

VS3618AE 30V/32A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.8 m Fast Switching and High efficiency I D(Silicon Limited) 50 A 100% Avalanche test I D(Package Limited) 32 A PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS3618AE PDFN3333 3618AE 5000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C,

 7.3. Size:1032K  cn vgsemi
 vs3618ad.pdf pdf_icon

VS3618AH

VS3618AD 30V/70A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.8 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 70 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3618A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS3612GP, VS3614AD, VS3614AE, VS3614GE, VS3614GP, VS3615GA, VS3615GE, VS3618AD, IRFB31N20D, VS3618AP, VS3618AS, VS3620DP2-G, VS3620GA, VS3620GEMC, VS3622AA, VS3622AA2, VS3622AA4