VS3618AP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3618AP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для VS3618AP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3618AP даташит

 ..1. Size:1043K  cn vgsemi
 vs3618ap.pdf pdf_icon

VS3618AP

VS3618AP 30V/54A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.4 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.4 m Enhancement mode I D 54 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V PDFN5x6 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS36

 7.1. Size:609K  cn vanguard
 vs3618ae.pdf pdf_icon

VS3618AP

VS3618AE 30V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 50 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V PDFN3333 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Packag

 7.2. Size:928K  cn vgsemi
 vs3618ae.pdf pdf_icon

VS3618AP

VS3618AE 30V/32A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.8 m Fast Switching and High efficiency I D(Silicon Limited) 50 A 100% Avalanche test I D(Package Limited) 32 A PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS3618AE PDFN3333 3618AE 5000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C,

 7.3. Size:1032K  cn vgsemi
 vs3618ad.pdf pdf_icon

VS3618AP

VS3618AD 30V/70A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.8 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 70 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3618A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS3614AD, VS3614AE, VS3614GE, VS3614GP, VS3615GA, VS3615GE, VS3618AD, VS3618AH, STP65NF06, VS3618AS, VS3620DP2-G, VS3620GA, VS3620GEMC, VS3622AA, VS3622AA2, VS3622AA4, VS3622AD