Справочник MOSFET. VS3622AA2

 

VS3622AA2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3622AA2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2X0.45-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3622AA2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:959K  cn vgsemi
vs3622aa2.pdfpdf_icon

VS3622AA2

VS3622AA230V/13A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.8 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m Enhancement modeI D 13 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingDFN2x2x0.45-6L Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3622AA2 DFN2x2x0.45-6L 36

 6.1. Size:1105K  cn vgsemi
vs3622aa4.pdfpdf_icon

VS3622AA2

VS3622AA430V/9.2A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.7 m N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 9.2 A Fast Switching and High efficiencyDFN2x2x0.5-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3622AA4 DFN2x2x0.5-6L 3622AA 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specif

 6.2. Size:966K  cn vgsemi
vs3622aa.pdfpdf_icon

VS3622AA2

VS3622AA30V/13A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.8 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m Enhancement modeI D 13 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingDFN2x2x0.75-6L Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3622AA DFN2x2x0.75-6L 3622

 7.1. Size:627K  cn vanguard
vs3622ae.pdfpdf_icon

VS3622AA2

VS3622AE 30V/45A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.9 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode I D 45 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RFL1N10L | STP55N06L | BUZ358 | STP33N65M2 | AUIRF2804 | SH8K12 | RFP12N06RLE

 

 
Back to Top

 


 
.