Справочник MOSFET. VS3622DB

 

VS3622DB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3622DB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для VS3622DB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3622DB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1357K  cn vgsemi
 vs3622db.pdf pdf_icon

VS3622DB

VS3622DB30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.2 6 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 8.4 m High Current CapabilityI D 28 30 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Low Gate ChargeDFN3x3 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3622DB DFN3x

 7.1. Size:735K  cn vanguard
 vs3622de.pdf pdf_icon

VS3622DB

VS3622DE 30V/35A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Dual N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Enhancement mode I D 35 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel

 7.2. Size:1142K  cn vgsemi
 vs3622dp2.pdf pdf_icon

VS3622DB

VS3622DP230V/42A Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 30 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.5 m Dual N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m Enhancement modeI D 42 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 Dual Opt2 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compl

 7.3. Size:1113K  cn vgsemi
 vs3622dp.pdf pdf_icon

VS3622DB

VS3622DP30V/40A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 30 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.7 m Dual N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement modeI D 40 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching 100% Avalanche Tested PDFN5x6 Dual Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Markin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VS3620GA , VS3620GEMC , VS3622AA , VS3622AA2 , VS3622AA4 , VS3622AD , VS3622AP , VS3622AS , 2SK3918 , VS3625DB , VS3625DP2-G , VS3625GEMC , VS3625GPMC , VS3628DB , VS3628GA , VS3628GE , VS3628GP .

History: STV200N55F3 | CEU83A3 | 2SK1546 | SM2F07NSU | SPI15N60CFD | SM3337PSQG | CED3172

 

 
Back to Top

 


 
.