Справочник MOSFET. VS3625GPMC

 

VS3625GPMC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VS3625GPMC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6

 Аналог (замена) для VS3625GPMC

 

 

VS3625GPMC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:971K  cn vgsemi
vs3625gpmc.pdf

VS3625GPMC
VS3625GPMC

VS3625GPMC30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 42 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 30 A 100% Avalanche TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3625GPMC PDFN5x6 3625GP 3000pcs/Reel

 7.1. Size:842K  cn vgsemi
vs3625gemc.pdf

VS3625GPMC
VS3625GPMC

VS3625GEMC30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 60 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3625GEMC PDFN3333 3

 8.1. Size:1216K  cn vgsemi
vs3625dp2-g.pdf

VS3625GPMC
VS3625GPMC

VS3625DP2-G30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.6 1.6 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.4 2.4 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 50 100 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 45 60 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Dual Opt2Part ID Package Type M

 8.2. Size:1043K  cn vgsemi
vs3625db.pdf

VS3625GPMC
VS3625GPMC

VS3625DB30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.6 4.5 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 7 m VitoMOS TechnologyI D(Wire bond Limited) 24 36 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedDFN3x3Part ID Package Type Marking PackingVS3625DB DFN3x3 3625DB 5000pcs/ReelMaximum ratings, at T

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top