VS3646ACM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3646ACM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для VS3646ACM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3646ACM даташит

 ..1. Size:1121K  cn vgsemi
vs3646acm.pdfpdf_icon

VS3646ACM

VS3646ACM 30V/5A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 20 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 32 m I D(Silicon limited) 5 A SOT23 Part ID Package Type Marking Packing VS3646ACM SOT23 VS37 3000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise specified Symbol Parameter Rating Unit V(BR)DSS Drain-Source breakdown voltage 30 V

 6.1. Size:1170K  cn vgsemi
vs3646acl.pdfpdf_icon

VS3646ACM

VS3646ACL 30V/4.6A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 22 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=2.5V 26 m I D(Silicon limited) 4.6 A SOT23 Part ID Package Type Marking Packing VS3646ACL SOT23 VS38 3000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise specified Symbol Parameter Rating Unit V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage

 9.1. Size:493K  cn vanguard
vs3640ds.pdfpdf_icon

VS3646ACM

VS3640DS 30V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement mode I D 9 A Fast Switching High Effective SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen-Free Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS

 9.2. Size:959K  cn vgsemi
vs3640aa.pdfpdf_icon

VS3646ACM

VS3640AA 30V/10A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 20 m Fast Switching and High efficiency I D 10 A Pb-free lead plating; RoHS compliant DFN2x2x0.75-6L Part ID Package Type Marking Packing VS3640AA DFN2x2x0.75-6L 3640 3000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise s

Другие IGBT... VS3640AD, VS3640AE, VS3640AS, VS3640AT, VS3640BC, VS3645GA, VS3645GE, VS3646ACL, IRF640N, VS3647DB, VS3652DB, VS3662DB, VS3698AD, VS3698AE, VS3698AP, VS3698AT, VS3803GPMT