Справочник MOSFET. VS3698AE

 

VS3698AE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3698AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3698AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1231K  cn vgsemi
vs3698ae.pdfpdf_icon

VS3698AE

VS3698AE30V/76A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.0 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.4 m Very low on-resistanceI D 76 A Fast Switching 100% Avalanche TestedPDFN3333 100% 1x reflow implemented in semiconductor assembly processPart ID Package Type Marking PackingVS3698AE PDFN3333 3698AE 5000PCS/Reel

 7.1. Size:875K  cn vgsemi
vs3698ad.pdfpdf_icon

VS3698AE

VS3698AD30V/80A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.9 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.5 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 80 A 100% Avalanche TestedTO-252Part ID Package Type Marking PackingVS3698AD TO-252 3698AD 2500pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise s

 7.2. Size:1237K  cn vgsemi
vs3698ap.pdfpdf_icon

VS3698AE

VS3698AP30V/105A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.1 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.5 m Enhancement modeI D 105 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN5x6 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking Packing

 7.3. Size:1055K  cn vgsemi
vs3698at.pdfpdf_icon

VS3698AE

VS3698AT30V/110A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.7 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 110 A Fast Switching and High efficiencyTO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3698AT TO-220AB 3

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BUZ358 | STP33N65M2 | RFL1N10L | STP55N06L | AUIRF2804 | CS6N70A3D-G

 

 
Back to Top

 


 
.