VS40200ATD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS40200ATD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 226 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для VS40200ATD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS40200ATD даташит

 ..1. Size:858K  cn vgsemi
 vs40200atd.pdf pdf_icon

VS40200ATD

VS40200ATD 40V/120A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.3 m Very low on-resistance I D(Silicon Limited) 226 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 120 A 100% Avalanche test TO-263 Part ID Package Type Marking Packing VS40200ATD TO-263 40200ATD 800pcs/Reel

 5.1. Size:401K  cn vanguard
 vs40200at.pdf pdf_icon

VS40200ATD

VS40200AT 40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 2.5 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 3.5 m Enhancement mode I D 200 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking

 5.2. Size:790K  cn vgsemi
 vs40200at.pdf pdf_icon

VS40200ATD

VS40200AT 40V/120A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.3 m Very low on-resistance I D(Silicon Limited) 226 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 120 A 100% Avalanche test TO-220AB Part ID Package Type Marking Packing VS40200AT TO-220AB 40200AT 50pcs/Tube

 6.1. Size:1058K  cn vgsemi
 vs40200ap.pdf pdf_icon

VS40200ATD

VS40200AP 40V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 3.3 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 4.4 m Very low on-resistance I D(Silicon Limited) 118 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 50 A 100% Avalanche Tested PDFN5x6 Part ID Package Type Marking Packing VS40200AP PDFN5x6 40200AP 3000pcs/Reel

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS3698AT, VS3803GPMT, VS3817GA, VS3817GPMT, VS3820GA2, VS3825GPMC, VS40200AD, VS40200AP, AON7408, VS4401AKH, VS4401AMH, VS4401ATH, VS4603DM6, VS4603GPHT, VS4603GPMT, VS4604AD, VS4604AT