VS40200ATD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VS40200ATD
Маркировка: 40200ATD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 226 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 102 nC
Время нарастания (tr): 130 ns
Выходная емкость (Cd): 560 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0046 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для VS40200ATD
VS40200ATD Datasheet (PDF)
vs40200atd.pdf
VS40200ATD40V/120A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.3 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 226 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 120 A 100% Avalanche testTO-263Part ID Package Type Marking PackingVS40200ATD TO-263 40200ATD 800pcs/Reel
vs40200at.pdf
VS40200AT 40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 2.5 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 3.5 m Enhancement mode I D 200 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking
vs40200at.pdf
VS40200AT40V/120A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.3 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 226 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 120 A 100% Avalanche testTO-220ABPart ID Package Type Marking PackingVS40200AT TO-220AB 40200AT 50pcs/Tube
vs40200ap.pdf
VS40200AP40V/50A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 4.4 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 118 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 50 A 100% Avalanche TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS40200AP PDFN5x6 40200AP 3000pcs/Reel
vs40200ad.pdf
VS40200AD40V/80A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.6 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 165 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 80 A 100% Avalanche TestedTO-252Part ID Package Type Marking PackingVS40200AD TO-252 40200AD 2500pcs/Reel
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
