VS4604DM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VS4604DM
Маркировка: 4604DM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 290 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 180 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 890 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0025 Ohm
Тип корпуса: TO263
VS4604DM Datasheet (PDF)
vs4604dm.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS4604DM40V/290A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 2.2 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 290 A 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantTO-263Part ID Package Type Marking PackingVS4604DM TO-263 4604DM 800pcs/ReelMaximum
vs4604dt.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS4604DT40V/285A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.7 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 2.3 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 285 A 100% Avalanche TestedTO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4604DT TO-220AB 4604DT 50pcs/TubeMaxim
vs4604ap.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS4604AP 40V/125A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.7 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.7 m Enhancement mode I D 125 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche test PDFN5x6 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking
vs4604ad.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS4604AD40V/140A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.8 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.8 m Enhancement modeI D 140 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4
vs4604atd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS4604ATD40V/150A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 3.7 m Enhancement modeI D 150 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-263 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4604ATD TO-263 4604
vs4604at.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS4604AT40V/150A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 3.7 m Enhancement modeI D 150 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4604AT TO-220AB 46
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![VS4604DM](https://alltransistors.com/images/us.png)
![VS4604DM](https://alltransistors.com/images/es.png)
![VS4604DM](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C