VS4610AB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS4610AB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TDFN3.3X3.3

Аналог (замена) для VS4610AB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS4610AB даташит

 ..1. Size:1065K  cn vgsemi
vs4610ab.pdfpdf_icon

VS4610AB

VS4610AB 40V/53A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 7.2 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m Enhancement mode I D 53 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V Fast Switching TDFN3.3x3.3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS4610AB TDFN3.3x3.3 4610AB 5

 7.1. Size:988K  cn vgsemi
vs4610ap.pdfpdf_icon

VS4610AB

VS4610AP 40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.6 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Enhancement mode I D 60 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche test PDFN5x6 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS4610AP PDFN5x6 4610AP 3

 7.2. Size:1020K  cn vgsemi
vs4610az.pdfpdf_icon

VS4610AB

VS4610AZ 40V/12A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 9 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode I D 12 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiency SOT223 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS4610AZ SOT223 46

 7.3. Size:992K  cn vgsemi
vs4610ae.pdfpdf_icon

VS4610AB

VS4610AE 40V/55A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.8 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 55 A Fast Switching and High efficiency 100% Avalanche test PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS4610AE PDFN3333 4610AE 5000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C, u

Другие IGBT... VS4603DM6, VS4603GPHT, VS4603GPMT, VS4604AD, VS4604AT, VS4604ATD, VS4604DM, VS4604DT, SKD502T, VS4610AD, VS4610AE, VS4610AP, VS4610AZ, VS4612GE, VS4612GP, VS4614AS-A, VS4618AH