VS4620GP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS4620GP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для VS4620GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS4620GP даташит

 ..1. Size:1011K  cn vgsemi
 vs4620gp.pdf pdf_icon

VS4620GP

VS4620GP 40V/40A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 6.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 40 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Part ID Package Type Marking Packing VS4620GP PDFN5x6 4620GP 3000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise specif

 7.1. Size:894K  cn vgsemi
 vs4620gd.pdf pdf_icon

VS4620GP

VS4620GD 40V/29A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.6 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS Technolog I D(Wire bond Limited) 29 A 100% Avalanche Tested,100% Rg tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses TO-252 Part ID Package Type Marking Packing VS4620GD TO-252 4620

 7.2. Size:1113K  cn vgsemi
 vs4620gs.pdf pdf_icon

VS4620GP

VS4620GS 40V/11A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 7.3 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 11 A Fast Switching and High efficiency SOP8 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Part ID Package Type Marking Packing VS4620GS SOP8 4620GS 3000pcs/Reel Maximum ratings, at T

 7.3. Size:876K  cn vgsemi
 vs4620gi.pdf pdf_icon

VS4620GP

VS4620GI 40V/29A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.6 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS Technolog I D(Wire bond Limited) 29 A 100% Avalanche Tested,100% Rg tested TO-251 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part ID Package Type Marking Packing VS4620GI TO-251 4620

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS4618AH, VS4618AP, VS4618AS, VS4618AS-AP, VS4618DE, VS4620GD, VS4620GEMC, VS4620GI, AO4407, VS4620GS, VS4622DE, VS4640AC, VS4646ACM, VS4698AP, VS4698DP, VS4802GKM, VS4802GMM