Справочник MOSFET. VS4620GP

 

VS4620GP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VS4620GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6

 Аналог (замена) для VS4620GP

 

 

VS4620GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1011K  cn vgsemi
 vs4620gp.pdf

VS4620GP VS4620GP

VS4620GP40V/40A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 6.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 40 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS4620GP PDFN5x6 4620GP 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise specif

 7.1. Size:894K  cn vgsemi
 vs4620gd.pdf

VS4620GP VS4620GP

VS4620GD40V/29A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS TechnologI D(Wire bond Limited) 29 A 100% Avalanche Tested,100% Rg tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesTO-252Part ID Package Type Marking PackingVS4620GD TO-252 4620

 7.2. Size:1113K  cn vgsemi
 vs4620gs.pdf

VS4620GP VS4620GP

VS4620GS40V/11A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7.3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 11 A Fast Switching and High efficiencySOP8 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking PackingVS4620GS SOP8 4620GS 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T

 7.3. Size:876K  cn vgsemi
 vs4620gi.pdf

VS4620GP VS4620GP

VS4620GI40V/29A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS TechnologI D(Wire bond Limited) 29 A 100% Avalanche Tested,100% Rg testedTO-251 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVS4620GI TO-251 4620

 7.4. Size:1108K  cn vgsemi
 vs4620gemc.pdf

VS4620GP VS4620GP

VS4620GEMC40V/36A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 54 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 36 A 100% Avalanche testPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS4620GEMC PDFN3333 4620GE 5000PCS/Ree

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top