Справочник MOSFET. VSA030C03MD

 

VSA030C03MD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSA030C03MD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X3-8L
 

 Аналог (замена) для VSA030C03MD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSA030C03MD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1352K  cn vgsemi
 vsa030c03md.pdf pdf_icon

VSA030C03MD

VSA030C03MD30V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 -30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 21 52 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 28 61 m Enhancement modeI D 8 -5 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VDFN2x3-8L Fast Switching and High efficiency High Power and Current Handing Capability Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Pa

 5.1. Size:1341K  cn vgsemi
 vsa030c03ld.pdf pdf_icon

VSA030C03MD

VSA030C03LD30V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 -30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 33 60 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=2.5V 40 77 m Enhancement modeI D 6 -4.7 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 VDFN2x3-8L Fast Switching and High efficiency High Power and Current Handing Capability Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID

Другие MOSFET... VS4698DP , VS4802GKM , VS4802GMM , VS4802GPHT , VS4802GPMT , VS6614DS , VS6614DS-K , VSA030C03LD , IRFB31N20D , VSD003N04MS-G , VSD005N03MS , VSD007N04MS-G , VSD020C04MC , VSE002N03MS-G , VSE003N04MSC-G , VSE003N04MS-G , VSE004N04MS .

History: FQI16N25CTU | STF13N60M2 | SI7491DP | HGN028NE6AL | AFN5908W | CS7456

 

 
Back to Top

 


 
.