VSE005N03MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VSE005N03MS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: PDFN3333
Аналог (замена) для VSE005N03MS
VSE005N03MS Datasheet (PDF)
vse005n03ms.pdf

VSE005N03MS30V/78A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.8 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.2 m Enhancement modeI D 78 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN3333 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking Packing
vse009ne6ms-g.pdf

VSE009NE6MS-G60V/50A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 60 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m VitoMOS TechnologyI D 50 A Fast Switching and High efficiencyPDFN3333 100% Avalanche TestedPart ID Package Type Marking PackingVSE009NE6MS-G PDFN3333 009NE6M 5000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unle
vse008ne2ls.pdf

VSE008NE2LS25V/55A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 25 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.8 m N-Channel3.3V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6.6 m Low RDS(on) and High EfficiencyI D 55 A Fast Switching Enhancement modePDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVSE008NE2
vse004n04ms.pdf

VSE004N04MS40V/48A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.1 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 48 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVSE004N04MS PDFN3333 004N04M 5000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25
Другие MOSFET... VSD003N04MS-G , VSD005N03MS , VSD007N04MS-G , VSD020C04MC , VSE002N03MS-G , VSE003N04MSC-G , VSE003N04MS-G , VSE004N04MS , IRFZ48N , VSE006N03MSC-G , VSE007N04MS-G , VSE008N03LS , VSE008NE2LS , VSE044C03MD , VSE2R5N03MS , VSO007N04MS-G , VSP002N03MS .
History: H5N2004DL | AP9576GM-HF | NTMFD5C466NLT1G | 2SK3515-01MR | SIE804DF | 2SJ553L | TPCF8102
History: H5N2004DL | AP9576GM-HF | NTMFD5C466NLT1G | 2SK3515-01MR | SIE804DF | 2SJ553L | TPCF8102



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315