VSO007N04MS-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VSO007N04MS-G
Маркировка: 007N04M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 27 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 430 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0048 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для VSO007N04MS-G
VSO007N04MS-G Datasheet (PDF)
vso007n04ms-g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VSO007N04MS-G40V/22A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),Typ@ VGS=10 V 3.7 m Enhancement modeR DS(on),Typ@ VGS=4.5 V 5.4 m VitoMOS TechnologyI D 22 A Fast Switching and High efficiencySOP8 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVSO007N04MS-G SOP8 007N04M 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless oth
vso009n06ms-ga.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VSO009N06MS-GA65V/15A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 65 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m VitoMOS TechnologyI D 15 A Fast Switching and High Efficiency 100% Avalanche testSOP8Part ID Package Type Marking PackingVSO009N06MS-GA SOP8 009N06MG 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless oth
vso008n10ms.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VSO008N10MS 100V/17A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Enhancement mode I D 17 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part
vso009n06ms-g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VSO009N06MS-G 60V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 15 A VitoMOS Technology 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .