VSO007N04MS-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VSO007N04MS-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для VSO007N04MS-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSO007N04MS-G даташит

 ..1. Size:957K  cn vgsemi
 vso007n04ms-g.pdf pdf_icon

VSO007N04MS-G

VSO007N04MS-G 40V/22A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),Typ@ VGS=10 V 3.7 m Enhancement mode R DS(on),Typ@ VGS=4.5 V 5.4 m VitoMOS Technology I D 22 A Fast Switching and High efficiency SOP8 100% Avalanche test Part ID Package Type Marking Packing VSO007N04MS-G SOP8 007N04M 3000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C, unless oth

 9.1. Size:1876K  cn vanguard
 vso009n06ms-ga.pdf pdf_icon

VSO007N04MS-G

VSO009N06MS-GA 65V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 65 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m VitoMOS Technology I D 15 A Fast Switching and High Efficiency 100% Avalanche test SOP8 Part ID Package Type Marking Packing VSO009N06MS-GA SOP8 009N06MG 3000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C, unless oth

 9.2. Size:799K  cn vanguard
 vso008n10ms.pdf pdf_icon

VSO007N04MS-G

VSO008N10MS 100V/17A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Enhancement mode I D 17 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part

 9.3. Size:792K  cn vanguard
 vso009n06ms-g.pdf pdf_icon

VSO007N04MS-G

VSO009N06MS-G 60V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 15 A VitoMOS Technology 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VSE004N04MS, VSE005N03MS, VSE006N03MSC-G, VSE007N04MS-G, VSE008N03LS, VSE008NE2LS, VSE044C03MD, VSE2R5N03MS, IRF9640, VSP002N03MS, VSP002N03MS-G, VSP002N03MST-G, VSP003N04HS-G, VSP003N04MS-G, VSP003N04MST-G, VSP005N03MS, VSP007N04MS-G