Справочник MOSFET. ME2301A-G

 

ME2301A-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME2301A-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для ME2301A-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2301A-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1077K  matsuki electric
 me2301a me2301a-g.pdf pdf_icon

ME2301A-G

ME2301A/ ME2301A-G P-Channel 20V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2301A is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 75m@VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 95m@VGS=-2.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 130m@VGS=-1.8V minimize on-stat

 8.1. Size:1127K  matsuki electric
 me2301 me2301-g.pdf pdf_icon

ME2301A-G

ME2301/ME2301-G P-Channel Enhancement Mode MosfetGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 110m@VGS=-4.5V The ME2301 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 150m@VGS=-2.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is es

 8.2. Size:1999K  matsuki electric
 me2301dc me2301dc-g.pdf pdf_icon

ME2301A-G

ME2301DC/ME2301DC-G P-Channel 20V(D-S) MOSFET, ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2301DC is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 110m@VGS=-4.5Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 150m@VGS=-2.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design

 8.3. Size:1321K  matsuki electric
 me2301gc me2301gc-g.pdf pdf_icon

ME2301A-G

ME2301GC/ ME2301GC-G P-Channel 20V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 75m@VGS=-4.5V The ME2301GC is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 95m@VGS=-2.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 130m@VGS=-1.8V trench technology. This high density process is especially tailored to Sup

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ME15N25F , ME15N25F-G , ME15N25-G , ME200N04T , ME200N04T-G , ME20N10-G , ME20N15F , ME2301A , 7N65 , ME2301DC , ME2301DC-G , ME2301DN , ME2301DN-G , ME2301GC , ME2301GC-G , ME2301S , ME2301S-G .

History: PHB145NQ06T | 2SJ661-DL-E

 

 
Back to Top

 


 
.