ME2301DC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME2301DC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 831 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для ME2301DC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2301DC даташит

 ..1. Size:1999K  matsuki electric
 me2301dc me2301dc-g.pdf pdf_icon

ME2301DC

ME2301DC/ME2301DC-G P-Channel 20V(D-S) MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2301DC is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 110m @VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 150m @VGS=-2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design

 7.1. Size:1298K  matsuki electric
 me2301dn me2301dn-g.pdf pdf_icon

ME2301DC

ME2301DN/ME2301DN-G P-Channel 20V(D-S) MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2301DN is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 90m @VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 130m @VGS=-2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell desig

 8.1. Size:1077K  matsuki electric
 me2301a me2301a-g.pdf pdf_icon

ME2301DC

ME2301A/ ME2301A-G P-Channel 20V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2301A is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 75m @VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 95m @VGS=-2.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 130m @VGS=-1.8V minimize on-stat

 8.2. Size:1127K  matsuki electric
 me2301 me2301-g.pdf pdf_icon

ME2301DC

ME2301/ME2301-G P-Channel Enhancement Mode Mosfet GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 110m @VGS=-4.5V The ME2301 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 150m @VGS=-2.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is es

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ME15N25F-G, ME15N25-G, ME200N04T, ME200N04T-G, ME20N10-G, ME20N15F, ME2301A, ME2301A-G, IRF9540, ME2301DC-G, ME2301DN, ME2301DN-G, ME2301GC, ME2301GC-G, ME2301S, ME2301S-G, ME2302-G