Справочник MOSFET. ME2308D-G

 

ME2308D-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME2308D-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 128 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для ME2308D-G

 

 

ME2308D-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:921K  matsuki electric
 me2308d me2308d-g.pdf

ME2308D-G ME2308D-G

ME2308D/ME2308D-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET ,ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2308D is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)60m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)70m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)100m@VGS=2.5V minimize

 7.1. Size:830K  matsuki electric
 me2308dn-g.pdf

ME2308D-G ME2308D-G

ME2308DN-G N-Channel 20V (D-S) MOSFET ,ESD ProtectionGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2308DN-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 0.35 @VGS=4.5Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 0.45 @VGS=2.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 0.65 @VGS=1.8Vmini

 8.1. Size:1540K  matsuki electric
 me2308s me2308s-g.pdf

ME2308D-G ME2308D-G

ME2308S/ME2308S-G N-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2308S is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 100m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 130m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS

 8.2. Size:850K  cn vbsemi
 me2308s.pdf

ME2308D-G ME2308D-G

ME2308Swww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top