ME2324D-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ME2324D-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.71 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для ME2324D-G
ME2324D-G Datasheet (PDF)
me2324d me2324d-g.pdf

ME2324D/ME2324D-G N-Channel 25V (D-S) MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2324D is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)400m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)450m@VGS=2.7V trench technology. This high density process is especially tailored to ESD Protection HBM >1KV minimize
me2323d me2323d-g.pdf

ME2323D/ME2323D-G P-Channel 20-V (D-S) MOSFETESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2323D(-G) is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 50m@VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 65m@VGS=-2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 75m@VGS=-1.8
me2328 me2328-g.pdf

ME2328/ME2328-G N - Channel 105-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)270m@VGS=10V The ME2328 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)340m@VGS=4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especiall
me2320d me2320d-g.pdf

ME2320D/ME2320D-G N-Channel 20V (D-S) MOSFET , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2320D is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)=21m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)=25 m@VGS=2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)=40 m@VGS=1.8V minimize on-st
Другие MOSFET... ME2312 , ME2312-G , ME2313 , ME2313-G , ME2320D2-G , ME2320DS , ME2320DS-G , ME2324D , 75N75 , ME2325S , ME2325S-G , ME2345AS , ME2345AS-G , ME2355AN , ME2355AN-G , ME25N15AL , ME25N15AL-G .
History: IRF6648PBF | CS37N5 | 2N6659-2 | APT10090BLL | SIR626DP
History: IRF6648PBF | CS37N5 | 2N6659-2 | APT10090BLL | SIR626DP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494