Справочник MOSFET. ME3443-G

 

ME3443-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME3443-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME3443-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:761K  matsuki electric
 me3443 me3443-g.pdf pdf_icon

ME3443-G

ME3443/ME3443-G P-Channel 2.5V (G-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES -20V/-4.7A,RDS(ON)=65m@VGS=-4.5V The ME3443 is the P-Channel logic enhancement mode power field -20V/-3.7A,RDS(ON)=85m@VGS=-2.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density proc

 9.1. Size:1549K  matsuki electric
 me3449d me3449d-g.pdf pdf_icon

ME3443-G

ME3449D/ME3449D-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET, ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3449D is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)60m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)92m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.