ME3443-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME3443-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для ME3443-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME3443-G даташит

 ..1. Size:761K  matsuki electric
 me3443 me3443-g.pdf pdf_icon

ME3443-G

ME3443/ME3443-G P-Channel 2.5V (G-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES -20V/-4.7A,RDS(ON)=65m @VGS=-4.5V The ME3443 is the P-Channel logic enhancement mode power field -20V/-3.7A,RDS(ON)=85m @VGS=-2.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density proc

 9.1. Size:1549K  matsuki electric
 me3449d me3449d-g.pdf pdf_icon

ME3443-G

ME3449D/ME3449D-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET, ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3449D is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 60m @VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 92m @VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for

Другие IGBT... ME2614-G, ME2620-G, ME3205F, ME3205F-G, ME3205H-G, ME3424D, ME3424D-G, ME3443, IRFB7545, ME3449D, ME3449D-G, ME3483, ME3483-G, ME3920D, ME3920D-G, ME3920-G, ME4425