Справочник MOSFET. ME4970A

 

ME4970A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME4970A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 272 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для ME4970A

 

 

ME4970A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1148K  matsuki electric
 me4970a me4970a-g.pdf

ME4970A ME4970A

ME4970A /ME4970A-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970A-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)14m@VGS=10V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON)20m@VGS=4.5V DMOS trench technology. This high density process is especially Super high density cell design for extremely low RD

 8.1. Size:1028K  1
 me4970 me4970g.pdf

ME4970A ME4970A

ME4970/ME4970-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)16m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)20m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

 8.2. Size:1213K  matsuki electric
 me4970 me4970-g.pdf

ME4970A ME4970A

ME4970/ME4970-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)16m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)20m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

 8.3. Size:939K  cn vbsemi
 me4970.pdf

ME4970A ME4970A

ME4970www.VBsemi.twDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFETPower MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.016 at VGS = 10 V 8.5 100 % UIS Tested30 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.020 at VGS = 4.5 V 7.6APPLICATIONS Notebook System Power Low Current DC/DCD 1 D 2 SO-8 S D

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top