ME7642. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME7642

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: POWERDFN5X6

Аналог (замена) для ME7642

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7642 даташит

 ..1. Size:1008K  matsuki electric
 me7642 me7642-g.pdf pdf_icon

ME7642

ME7642/ME7642-G N-Channel 40V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7642-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 4m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 5.5m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme

 9.1. Size:2202K  matsuki electric
 me7644 me7644-g.pdf pdf_icon

ME7642

ME7644/ME7644-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7644 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 0.96m @VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 1.98m @VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremel

 9.2. Size:1062K  matsuki electric
 me7640 me7640-g.pdf pdf_icon

ME7642

ME7640/ME7640-G N-Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7640 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 1.35 m @VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 2 m @VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RD

 9.3. Size:1657K  matsuki electric
 me7648 me7648-g.pdf pdf_icon

ME7642

Preliminary-ME7648/ME7648-G N-Channel 40V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7648 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 2.7 m @VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS (ON) 8.8 m @VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ME7632, ME7632-G, ME7632S, ME7632S-G, ME7636, ME7636-G, ME7640, ME7640-G, SI2302, ME7642-G, ME7644, ME7644-G, ME7648, ME7648-G, ME7648S, ME7648S-G, ME7686