ME7845S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ME7845S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 507 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для ME7845S
ME7845S Datasheet (PDF)
me7845s me7845s-g.pdf
Preliminary-ME7845S/ME7845S-G P-Channel 20V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7845S is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 7m@VGS=-4.5Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 10m@VGS=-2.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 17m@VGS=-1.8Vminimize o
Другие MOSFET... ME7805S , ME7805S-G , ME7807S , ME7807S-G , ME78101S-G , ME7810S-G , ME7820S-G , ME78241S-G , K2611 , ME7845S-G , ME7890ED , ME7890ED-G , ME7900EN , ME7900EN-G , ME7910D , ME7910D-G , ME8029 .
History: AM6612NE | AM6920NH
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor


