MEE4292P-G - описание и поиск аналогов

 

MEE4292P-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MEE4292P-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 739 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для MEE4292P-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE4292P-G даташит

 ..1. Size:918K  matsuki electric
 mee4292p-g.pdf pdf_icon

MEE4292P-G

MEE4292P-G N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4292P-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 12m @VGS=10V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON 17.2m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

 7.1. Size:866K  matsuki electric
 mee4292-g.pdf pdf_icon

MEE4292P-G

MEE4292-G N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4292-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 11m @VGS=10V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON) 16m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely low RDS(ON) on

 7.2. Size:1157K  matsuki electric
 mee4292ht.pdf pdf_icon

MEE4292P-G

MEE4292HT N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4292HT is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 12m @VGS=10V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Exceptional on-resistance and

 7.3. Size:895K  matsuki electric
 mee4292hp-g.pdf pdf_icon

MEE4292P-G

MEE4292HP-G N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4292HP-G is a N-Channel enhancement mode power field RDS(ON) 12m @VGS=10V effect transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Exceptional on-resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MEE3712T , MEE3716F , MEE3716T , MEE3718T , MEE4292-G , MEE4292HP-G , MEE4292HT , MEE4292K-G , IRFP250N , MEE4292T , MEE42942-G , MEE4294HP-G , MEE4294HT , MEE4294K , MEE4294K2 , MEE4294K2-G , MEE4294K-G .

History: CPH3459 | BTS140A | SMF10N60 | IGT60R070D1 | DN3135

 

 

 

 

↑ Back to Top
.