MEE4294K - аналоги и даташиты транзистора

 

MEE4294K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MEE4294K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 868 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MEE4294K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE4294K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:954K  matsuki electric
 mee4294k mee4294k-g.pdf pdf_icon

MEE4294K

MEE4294K/MEE4294K-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294K-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)10.5m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON)16.5m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely

 0.1. Size:931K  matsuki electric
 mee4294k2 mee4294k2-g.pdf pdf_icon

MEE4294K

MEE4294K2/MEE4294K2-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294K2-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)10.5m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON)16.5m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extreme

 7.1. Size:1518K  matsuki electric
 mee4294-g.pdf pdf_icon

MEE4294K

MEE4294-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)10.5m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON)16.5m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

 7.2. Size:1044K  matsuki electric
 mee4294t2.pdf pdf_icon

MEE4294K

MEE4294T2 N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294T2 is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)11.5m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON)16.5m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MEE4292HP-G , MEE4292HT , MEE4292K-G , MEE4292P-G , MEE4292T , MEE42942-G , MEE4294HP-G , MEE4294HT , SKD502T , MEE4294K2 , MEE4294K2-G , MEE4294K-G , MEE4294P2-G , MEE4294P-G , MEE4294T2 , MEE4298-G , MEE4298HT .

History: MEE4294K-G | SM2300NSAN | FDC6301N | WMB03DN06T1 | IRLR120NTR | FDB8030L | FDC6305N

 

 
Back to Top

 


 
.