MS5N100FT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MS5N100FT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для MS5N100FT
MS5N100FT Datasheet (PDF)
ms5n100 ms5n100s ms5n100ft ms5n100fe ms5n100fd.pdf

MS5N100/S/FT/FE/FDN-channel 1000V 3.5 - 5AGeneral featuresType V R IDSS(@Tjmax) DS(on) DMS5N100 1000 V
Другие MOSFET... MEE7816S-G , 2SK815 , MDD2601 , NCE1579C , SMP730 , HCA60R040 , MS5N100 , MS5N100S , CS150N03A8 , MS5N100FE , MS5N100FD , SJMN600R70F , HCA60R290 , HCA65R165 , HCA70R180 , HCA90R300 , HCA90R450 .
History: 2SK3112 | MDS3653URH | 2SK1493-Z | WMP10N65EM | AOD256 | FDMS7692A | 3SK53
History: 2SK3112 | MDS3653URH | 2SK1493-Z | WMP10N65EM | AOD256 | FDMS7692A | 3SK53



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor