HCS80R1K2S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HCS80R1K2S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220FS

Аналог (замена) для HCS80R1K2S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCS80R1K2S даташит

 ..1. Size:397K  semihow
 hcs80r1k2s.pdf pdf_icon

HCS80R1K2S

Sep 2020 HCS80R1K2S 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching loss ID 4.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.2 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 10.3 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FS SYMBOL S

 0.1. Size:399K  semihow
 hcs80r1k2st.pdf pdf_icon

HCS80R1K2S

Sep 2020 HCS80R1K2ST 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching loss ID 4.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.2 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 10.3 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FT SYMBOL

 6.1. Size:399K  semihow
 hcs80r1k4st.pdf pdf_icon

HCS80R1K2S

Sep 2020 HCS80R1K4ST 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching loss ID 4.0 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 9.1 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FT SYMBOL S

 6.2. Size:398K  semihow
 hcs80r1k4s.pdf pdf_icon

HCS80R1K2S

Sep 2020 HCS80R1K4S 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching loss ID 4.0 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 9.1 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FS SYMBOL Sw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HCS65R450S, HCS65R450ST, HCS65R830ST, HCS70R180S, HCS70R230S, HCS70R600ST, HCS70R710ST, HCS70R910ST, 2SK3878, HCS80R1K2ST, HCS80R1K4S, HCS80R1K4ST, HCS90R1K0S, HCS90R1K6S, HCS90R300S, HCS90R450S, HCS90R800S