HCS90R450S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HCS90R450S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO220FS

Аналог (замена) для HCS90R450S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCS90R450S даташит

 ..1. Size:544K  semihow
 hcs90r450s.pdf pdf_icon

HCS90R450S

Apr. 2023 HCS90R450S 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 10.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 29 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FS SYMBOL

 8.1. Size:543K  semihow
 hcs90r1k0s.pdf pdf_icon

HCS90R450S

Apr. 2023 HCS90R1K0S 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 5.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.0 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 13.7 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FS SYMBOL

 8.2. Size:544K  semihow
 hcs90r800s.pdf pdf_icon

HCS90R450S

Apr. 2023 HCS90R800S 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 6.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.8 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 17.4 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FS SYMBOL

 8.3. Size:543K  semihow
 hcs90r300s.pdf pdf_icon

HCS90R450S

Apr. 2023 HCS90R300S 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 14.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.3 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 43 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FS SYMBOL S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HCS70R910ST, HCS80R1K2S, HCS80R1K2ST, HCS80R1K4S, HCS80R1K4ST, HCS90R1K0S, HCS90R1K6S, HCS90R300S, K3569, HCS90R800S, HCT70R1K1, HCT70R910, HCT80R850, HCT90R1K4, HCU60R260, HCU60R580, HCU65R1K0