HFD1N60F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFD1N60F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HFD1N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFD1N60F даташит

 ..1. Size:208K  semihow
 hfu1n60f hfd1n60f.pdf pdf_icon

HFD1N60F

Oct 2016 HFU1N60F / HFD1N60F 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 600 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 1A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 6.5 100% Avalanche Tested Qg, Typ 3.7 nC RoHS Compliant HFU1N60F HFD1N60F Symbol TO-251 TO-252 D S S D G G Absolute Maximum Ratings TC=25 unless

 7.1. Size:195K  semihow
 hfd1n60s hfu1n60s.pdf pdf_icon

HFD1N60F

Sep 2009 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFD1N60S / HFU1N60S ID = 1.0 A 600V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD1N60S HFU1N60S Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 3.0 nC (T

 7.2. Size:195K  semihow
 hfd1n60s.pdf pdf_icon

HFD1N60F

Sep 2009 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFD1N60S / HFU1N60S ID = 1.0 A 600V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD1N60S HFU1N60S Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 3.0 nC (T

 7.3. Size:1138K  semihow
 hfu1n60sa hfd1n60sa.pdf pdf_icon

HFD1N60F

Jan. 2022 HFU1N60SA / HFD1N60SA 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Superior Avalanche Rugged Technology BVDSS 600 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances ID 1.0 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 9.3 100% Avalanche Tested Qg, Typ 3.9 nC RoHS Compliant HFU1N60SA HFD1N60SA Symbol TO-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HCW60R190, HCW60R290, HCW65R210, HCW65R320, HFA20N50U, HFA24N50G, HFB1N60F, HFC2N60U, 5N60, HFD1N60SA, HFD2N60F, HFD5N60F, HFD5N65SA, HFH9N90A, HFI50N06A, HFI5N50S, HFI5N60S