Справочник MOSFET. HFD1N60F

 

HFD1N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFD1N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HFD1N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFD1N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  semihow
 hfu1n60f hfd1n60f.pdf pdf_icon

HFD1N60F

Oct 2016HFU1N60F / HFD1N60F600V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 600 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 1A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 6.5 100% Avalanche TestedQg, Typ 3.7 nC RoHS CompliantHFU1N60F HFD1N60FSymbolTO-251 TO-252DSSDGGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unless

 7.1. Size:195K  semihow
 hfd1n60s hfu1n60s.pdf pdf_icon

HFD1N60F

Sep 2009BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFD1N60S / HFU1N60SID = 1.0 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD1N60S HFU1N60S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (T

 7.2. Size:195K  semihow
 hfd1n60s.pdf pdf_icon

HFD1N60F

Sep 2009BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFD1N60S / HFU1N60SID = 1.0 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD1N60S HFU1N60S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (T

 7.3. Size:1138K  semihow
 hfu1n60sa hfd1n60sa.pdf pdf_icon

HFD1N60F

Jan. 2022HFU1N60SA / HFD1N60SA600V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 600 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 1.0 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 9.3 100% Avalanche TestedQg, Typ 3.9 nC RoHS CompliantHFU1N60SA HFD1N60SASymbolTO-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FRL234R

 

 
Back to Top

 


 
.