Справочник MOSFET. HFD5N60F

 

HFD5N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFD5N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HFD5N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFD5N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  semihow
 hfu5n60f hfd5n60f.pdf pdf_icon

HFD5N60F

Oct 2016HFU5N60F / HFD5N60F600V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 600 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 5A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 1.8 100% Avalanche TestedQg, Typ 12.5 nC RoHS CompliantHFU5N60F HFD5N60FSymbolTO-251 TO-252DSSDGGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unles

 7.1. Size:205K  semihow
 hfd5n60s.pdf pdf_icon

HFD5N60F

Sep 2009BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 2.0 HFD5N60S / HFU5N60SID = 4.3 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK22FEATURES113 23 Originative New DesignHFD5N60S HFU5N60S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ

 7.2. Size:324K  semihow
 hfd5n60s hfu5n60s.pdf pdf_icon

HFD5N60F

June 2015BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFD5N60S / HFU5N60SID = 4.3 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD5N60S HFU5N60S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC

 7.3. Size:210K  semihow
 hfd5n60u.pdf pdf_icon

HFD5N60F

Jan 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 2.0 HFD5N60U / HFU5N60U ID = 3.6 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD5N60U HFU5N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HCW65R320 , HFA20N50U , HFA24N50G , HFB1N60F , HFC2N60U , HFD1N60F , HFD1N60SA , HFD2N60F , 7N60 , HFD5N65SA , HFH9N90A , HFI50N06A , HFI5N50S , HFI5N60S , HFP2N60F , HFP4N60F , HFP50N06A .

History: KDS9952A | HFD2N60F

 

 
Back to Top

 


 
.