HFP5N60F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFP5N60F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HFP5N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP5N60F даташит

 ..1. Size:408K  semihow
 hfp5n60f hfs5n60f.pdf pdf_icon

HFP5N60F

Oct 2016 HFP5N60F / HFS5N60F 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 600 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 5A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 1.8 100% Avalanche Tested Qg, Typ 12.5 nC RoHS Compliant HFP5N60F HFS5N60F Symbol TO-220 TO-220F S S D D G G Absolute Maximum Ratings TC=25 unle

 7.1. Size:205K  semihow
 hfp5n60u.pdf pdf_icon

HFP5N60F

May 2012 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFP5N60U ID = 4.5 A 600V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

 7.2. Size:172K  semihow
 hfp5n60s.pdf pdf_icon

HFP5N60F

Aug 2007 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFP5N60S ID = 4.5 A 600V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

 8.1. Size:204K  semihow
 hfp5n65u.pdf pdf_icon

HFP5N60F

March 2013 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFP5N65U ID = 4.5 A 650V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFD5N65SA, HFH9N90A, HFI50N06A, HFI5N50S, HFI5N60S, HFP2N60F, HFP4N60F, HFP50N06A, P60NF06, HFP730F, HFP830F, HFS10N65JS, HFS10N80A, HFS12N65JS, HFS12N65SA, HFS18N50UT, HFS2N60F