Справочник MOSFET. HFP5N60F

 

HFP5N60F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HFP5N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HFP5N60F

 

 

HFP5N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  semihow
 hfp5n60f hfs5n60f.pdf

HFP5N60F HFP5N60F

Oct 2016HFP5N60F / HFS5N60F600V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 600 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 5A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 1.8 100% Avalanche TestedQg, Typ 12.5 nC RoHS CompliantHFP5N60F HFS5N60FSymbolTO-220 TO-220FSSDDGGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unle

 7.1. Size:205K  semihow
 hfp5n60u.pdf

HFP5N60F HFP5N60F

May 2012BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFP5N60U ID = 4.5 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

 7.2. Size:172K  semihow
 hfp5n60s.pdf

HFP5N60F HFP5N60F

Aug 2007BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFP5N60SID = 4.5 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

 8.1. Size:204K  semihow
 hfp5n65u.pdf

HFP5N60F HFP5N60F

March 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFP5N65U ID = 4.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 8.2. Size:207K  semihow
 hfp5n65s.pdf

HFP5N60F HFP5N60F

Oct 2009BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 2.3 HFP5N65SID = 4.2 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 10 5 nC (Typ )

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top