STM6924 - описание и поиск аналогов

 

STM6924. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STM6924

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для STM6924

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STM6924 даташит

 ..1. Size:184K  samhop
stm6924.pdfpdf_icon

STM6924

Green Product STM6924 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 28 @ VGS=10V Suface Mount Package. 40V 6.8A 46 @ VGS=4.5V D2 5 4 G 2 6 3 D2 S 2 D1 7 2 G 1 S O-8 D1 8 1 S 1 1 (TA=25 C unless otherwi

 8.1. Size:720K  samhop
stm6920.pdfpdf_icon

STM6924

S T M6920 S amHop Microelectronics C orp. Aug,18 2005 ver1.2 Dual N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect Transistor P R ODUC T S UMMAR Y F E AT UR E S S uper high dense cell design for low R DS (ON). V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max R ugged and reliable. 25 @ V G S = 10V 40V 7A S urface Mount Package. 45 @ V G S = 4.5V D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 S O-8 1 1 2 3 4 S 1 G 1 S 2 G 2 A

 8.2. Size:167K  samhop
stm6928.pdfpdf_icon

STM6924

Green Product STM6928 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 14 @ VGS=10V Suface Mount Package. 40V 9.5A 16 @ VGS=4.5V D2 5 4 G 2 6 3 D2 S 2 D1 7 2 G 1 S O-8 D1 8 1 S 1 1 (TA=25 C unless otherwi

 8.3. Size:141K  samhop
stm6926.pdfpdf_icon

STM6924

Green Product S TM6926 S amHop Microelectronics C orp. Mar.29 ,2007 Dual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor F E ATUR E S PR ODUC T S UMMAR Y S uper high dense cell design for low R DS (ON). ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S R ugged and reliable. 16 @ VG S = 10V S urface Mount Package. 8.5A 40V 18 @ VG S = 4.5V E S D Protected. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 S O-8 1

Другие MOSFET... STM6960 , FDMS7670AS , STM6930A , FDMS7672 , STM6928 , FDMS7672AS , STM6926 , FDMS7676 , IRF1404 , FDMS7682 , STM6922 , FDMS7692 , STM6920A , FDMS7692A , STM6920 , FDMS7694 , STM6916 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.