Справочник MOSFET. HRA45N08K

 

HRA45N08K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRA45N08K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 155 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HRA45N08K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRA45N08K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  semihow
hra45n08k.pdfpdf_icon

HRA45N08K

December 2014BVDSS = 80 VRDS(on) typ = HRA45N08K ID = 150 A80V N-Channel Trench MOSFETTO-247FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 155nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 3.6 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Teste

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.