HRF85N08K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HRF85N08K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: 8DFN5X6
Аналог (замена) для HRF85N08K
HRF85N08K Datasheet (PDF)
hrf85n08k.pdf

Jan 2016HRF85N08K80V N-Channel Trench MOSFET8DFN 5x6FEATURES BVDSS = 80 V ID = 70 A1 Unrivalled Gate Charge : 75 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 7.0 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche TestedAbsolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsVDSS Drain-Source Voltage 80 VVGS Gate-Source Voltage 25 VTC = 25 70 AID Drain Current TC
Другие MOSFET... HRD180N10K , HRD50N06K , HRD72N06K , HRD80N06K , HRD85N08K , HRF120N10K , HRF130N06K , HRF140N06K , 2N7000 , HRLD125N06K , HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , HRLD250N10K , HRLD33N03K , HRLD370N10K , HRLD40N04K , HRLD55N03K .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328