HRF85N08K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HRF85N08K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: 8DFN5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HRF85N08K Datasheet (PDF)
hrf85n08k.pdf

Jan 2016HRF85N08K80V N-Channel Trench MOSFET8DFN 5x6FEATURES BVDSS = 80 V ID = 70 A1 Unrivalled Gate Charge : 75 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 7.0 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche TestedAbsolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsVDSS Drain-Source Voltage 80 VVGS Gate-Source Voltage 25 VTC = 25 70 AID Drain Current TC
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: ME7807S-G | FDB8444F085 | STB60N55F3 | RJK6025DPH-E0 | AOI9N50 | SSG4410N | IXFP18N65X2
History: ME7807S-G | FDB8444F085 | STB60N55F3 | RJK6025DPH-E0 | AOI9N50 | SSG4410N | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328