HRF85N08K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRF85N08K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: 8DFN5X6

Аналог (замена) для HRF85N08K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRF85N08K даташит

 ..1. Size:179K  semihow
 hrf85n08k.pdf pdf_icon

HRF85N08K

Jan 2016 HRF85N08K 80V N-Channel Trench MOSFET 8DFN 5x6 FEATURES BVDSS = 80 V ID = 70 A 1 Unrivalled Gate Charge 75 nC (Typ.) Lower RDS(ON) 7.0 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested Absolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units VDSS Drain-Source Voltage 80 V VGS Gate-Source Voltage 25 V TC = 25 70 A ID Drain Current TC

Другие IGBT... HRD180N10K, HRD50N06K, HRD72N06K, HRD80N06K, HRD85N08K, HRF120N10K, HRF130N06K, HRF140N06K, AON7408, HRLD125N06K, HRLD150N10K, HRLD1B8N10K, HRLD250N10K, HRLD33N03K, HRLD370N10K, HRLD40N04K, HRLD55N03K