HRLF180N10K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLF180N10K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: 8DFN5X6

Аналог (замена) для HRLF180N10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLF180N10K даташит

 ..1. Size:212K  semihow
 hrlf180n10k.pdf pdf_icon

HRLF180N10K

Jan 2016 HRLF180N10K 100V N-Channel Trench MOSFET 8DFN 5x6 FEATURES BVDSS = 100 V ID = 40 A 1 Unrivalled Gate Charge 94 nC (Typ.) Lower RDS(ON) 16 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 17 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Absolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage

 9.1. Size:228K  semihow
 hrlf150n10k.pdf pdf_icon

HRLF180N10K

Jan 2016 HRLF150N10K 100V N-Channel Trench MOSFET 8DFN 5x6 FEATURES BVDSS = 100 V ID = 50 A 1 Unrivalled Gate Charge 80 nC (Typ.) Lower RDS(ON) 13 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 14 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Absolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage

 9.2. Size:715K  semihow
 hrlf190n03k.pdf pdf_icon

HRLF180N10K

July 2017 HRLF190N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 31 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 16 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 20 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circu

 9.3. Size:775K  semihow
 hrlf110n03k.pdf pdf_icon

HRLF180N10K

July 2017 HRLF110N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 42 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 9.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 13.0 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Ci

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HRLD40N04K, HRLD55N03K, HRLD72N06, HRLD80N06K, HRLE320N03K, HRLF110N03K, HRLF125N06K, HRLF150N10K, AON7410, HRLF190N03K, HRLF33N03K, HRLF55N03K, HRLF72N06, HRLF80N06K, HRLFS136N10P, HRLFS190N03K, HRLFS55N03K