HRLF72N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLF72N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: 8DFN5X6

Аналог (замена) для HRLF72N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLF72N06 даташит

 ..1. Size:428K  semihow
 hrlf72n06.pdf pdf_icon

HRLF72N06

Mar 2023 HRLF72N06 60V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Speed Power Switching, Logic Level BVDSS 60 V Enhanced Body diode dv/dt capability ID 74 A Enhanced Avalanche Ruggedness RDS(on), max @10V 7.2 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), max @4.5V 12.5 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Cir

Другие IGBT... HRLE320N03K, HRLF110N03K, HRLF125N06K, HRLF150N10K, HRLF180N10K, HRLF190N03K, HRLF33N03K, HRLF55N03K, IRFB3607, HRLF80N06K, HRLFS136N10P, HRLFS190N03K, HRLFS55N03K, HRLFS72N06P, HRLFS90N03K, HRLO110N03K, HRLO125N06K