HRLFS190N03K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLFS190N03K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: 8DFN3X3

Аналог (замена) для HRLFS190N03K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLFS190N03K даташит

 ..1. Size:239K  semihow
 hrlfs190n03k.pdf pdf_icon

HRLFS190N03K

Jan 2016 HRLFS190N03K 30V N-Channel Trench MOSFET 8DFN 3x3 FEATURES BVDSS = 30 V ID = 28 A 1 Unrivalled Gate Charge 12 nC (Typ.) Lower RDS(ON) 16 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 20 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Absolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units VDSS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage

 8.1. Size:417K  semihow
 hrlfs136n10p.pdf pdf_icon

HRLFS190N03K

May 2020 HRLFS136N10P 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Speed Power Switching, Logic Level BVDSS 100 V Enhanced Body diode dv/dt capability ID 48 A Enhanced Avalanche Ruggedness RDS(on), typ @10V 11.3 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead free, Halogen Free RDS(on), typ @4.5V 16.7 m Application Package & Intern

 9.1. Size:369K  semihow
 hrlfs72n06p.pdf pdf_icon

HRLFS190N03K

March 2020 HRLFS72N06P 65V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Speed Power Switching, Logic Level BVDSS 65 V Enhanced Body diode dv/dt capability ID 58 A Enhanced Avalanche Ruggedness RDS(on), typ @10V 6.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 9.6 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circuit Synchronous

 9.2. Size:453K  semihow
 hrlfs55n03k.pdf pdf_icon

HRLFS190N03K

Feb 2020 HRLFS55N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 66 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 4.2 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 5.7 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HRLF150N10K, HRLF180N10K, HRLF190N03K, HRLF33N03K, HRLF55N03K, HRLF72N06, HRLF80N06K, HRLFS136N10P, CS150N03A8, HRLFS55N03K, HRLFS72N06P, HRLFS90N03K, HRLO110N03K, HRLO125N06K, HRLO180N10K, HRLO250N10K, HRLO72N06