HRLP125N06K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLP125N06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRLP125N06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLP125N06K даташит

 ..1. Size:161K  semihow
 hrlp125n06k.pdf pdf_icon

HRLP125N06K

Dec2015 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 10 HRLP125N06K ID = 70 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 10 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 12 (Typ.

 9.1. Size:211K  semihow
 hrlp150n10k.pdf pdf_icon

HRLP125N06K

Mar 2016 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 13 HRLP150N10K ID = 70 A 100V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 80 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 13 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 14 (T

Другие IGBT... HRLFS55N03K, HRLFS72N06P, HRLFS90N03K, HRLO110N03K, HRLO125N06K, HRLO180N10K, HRLO250N10K, HRLO72N06, IRFP250, HRLP150N10K, HRLP250N10K, HRLP33N03K, HRLP370N10K, HRLP40N04K, HRLP55N03K, HRLP72N06, HRLP80N06K