HRLP125N06K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HRLP125N06K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 230 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0125 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HRLP125N06K
HRLP125N06K Datasheet (PDF)
hrlp125n06k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Dec2015BVDSS = 60 VRDS(on) typ = 10 HRLP125N06K ID = 70 A60V N-Channel Trench MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 10 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 12 (Typ.
hrlp150n10k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Mar 2016BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 13 HRLP150N10K ID = 70 A100V N-Channel Trench MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 80 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 13 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 14 (T
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .