HRLP250N10K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HRLP250N10K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HRLP250N10K
HRLP250N10K Datasheet (PDF)
hrlp250n10k.pdf
Dec 2018 HRLP250N10K 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Dense Cell Design BVDSS 100 V Reliable and Rugged ID 38 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 20 m RDS(on), typ @4.5V 22 m Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System TO-220 Synchronous Rectifi
Другие MOSFET... HRLFS90N03K , HRLO110N03K , HRLO125N06K , HRLO180N10K , HRLO250N10K , HRLO72N06 , HRLP125N06K , HRLP150N10K , 2SK3568 , HRLP33N03K , HRLP370N10K , HRLP40N04K , HRLP55N03K , HRLP72N06 , HRLP80N06K , HRLT1B0N10K , HRLU125N06K .
History: IRFIZ46N | STB3NK60Z
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792


