Справочник MOSFET. HRLP250N10K

 

HRLP250N10K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRLP250N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HRLP250N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLP250N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:801K  semihow
hrlp250n10k.pdfpdf_icon

HRLP250N10K

Dec 2018 HRLP250N10K 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Dense Cell Design BVDSS 100 V Reliable and Rugged ID 38 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 20 m RDS(on), typ @4.5V 22 m Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System TO-220 Synchronous Rectifi

Другие MOSFET... HRLFS90N03K , HRLO110N03K , HRLO125N06K , HRLO180N10K , HRLO250N10K , HRLO72N06 , HRLP125N06K , HRLP150N10K , 5N65 , HRLP33N03K , HRLP370N10K , HRLP40N04K , HRLP55N03K , HRLP72N06 , HRLP80N06K , HRLT1B0N10K , HRLU125N06K .

History: SSW20N60S | SI4925BDY | SI4914DY | IRF543FI | MTE130N20J3

 

 
Back to Top

 


 
.