HRLP40N04K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HRLP40N04K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HRLP40N04K
HRLP40N04K Datasheet (PDF)
hrlp40n04k.pdf

June 2015 BVDSS = 40 V RDS(on) typ = 3.3m HRLP40N04K ID = 130 A 40V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 130 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 3.3 m (Typ.) @
Другие MOSFET... HRLO180N10K , HRLO250N10K , HRLO72N06 , HRLP125N06K , HRLP150N10K , HRLP250N10K , HRLP33N03K , HRLP370N10K , SKD502T , HRLP55N03K , HRLP72N06 , HRLP80N06K , HRLT1B0N10K , HRLU125N06K , HRLU150N10K , HRLU1B8N10K , HRLU370N10K .
History: IRFB4410ZG | SSF65R360S2E | PZ5S6JZ | FDAF75N28 | WML13N65EM | STI14NM65N | SPB80N06S2-05
History: IRFB4410ZG | SSF65R360S2E | PZ5S6JZ | FDAF75N28 | WML13N65EM | STI14NM65N | SPB80N06S2-05



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor