HRLP40N04K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLP40N04K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRLP40N04K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLP40N04K даташит

 ..1. Size:856K  semihow
 hrlp40n04k.pdf pdf_icon

HRLP40N04K

June 2015 BVDSS = 40 V RDS(on) typ = 3.3m HRLP40N04K ID = 130 A 40V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 130 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 3.3 m (Typ.) @

Другие IGBT... HRLO180N10K, HRLO250N10K, HRLO72N06, HRLP125N06K, HRLP150N10K, HRLP250N10K, HRLP33N03K, HRLP370N10K, RFP50N06, HRLP55N03K, HRLP72N06, HRLP80N06K, HRLT1B0N10K, HRLU125N06K, HRLU150N10K, HRLU1B8N10K, HRLU370N10K