HRLP72N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLP72N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRLP72N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLP72N06 даташит

 ..1. Size:381K  semihow
 hrlp72n06.pdf pdf_icon

HRLP72N06

Mar 2023 HRLP72N06 60V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Speed Power Switching, Logic Level BVDSS 60 V Enhanced Body diode dv/dt capability ID 84 A Enhanced Avalanche Ruggedness RDS(on), max @10V 7.2 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), max @4.5V 12.5 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Cir

Другие IGBT... HRLO72N06, HRLP125N06K, HRLP150N10K, HRLP250N10K, HRLP33N03K, HRLP370N10K, HRLP40N04K, HRLP55N03K, AO3407, HRLP80N06K, HRLT1B0N10K, HRLU125N06K, HRLU150N10K, HRLU1B8N10K, HRLU370N10K, HRLU55N03K, HRLU80N06K