HRLP80N06K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLP80N06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRLP80N06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLP80N06K даташит

 ..1. Size:892K  semihow
 hrlp80n06k.pdf pdf_icon

HRLP80N06K

Sep 2015 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 6.3m HRLP80N06K ID = 80 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 100 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 6.3 m (Typ.) @VG

Другие IGBT... HRLP125N06K, HRLP150N10K, HRLP250N10K, HRLP33N03K, HRLP370N10K, HRLP40N04K, HRLP55N03K, HRLP72N06, 18N50, HRLT1B0N10K, HRLU125N06K, HRLU150N10K, HRLU1B8N10K, HRLU370N10K, HRLU55N03K, HRLU80N06K, HRLW250N10K