Справочник MOSFET. HRLP80N06K

 

HRLP80N06K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRLP80N06K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HRLP80N06K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLP80N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:892K  semihow
 hrlp80n06k.pdf pdf_icon

HRLP80N06K

Sep 2015 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 6.3m HRLP80N06K ID = 80 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 100 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.3 m (Typ.) @VG

Другие MOSFET... HRLP125N06K , HRLP150N10K , HRLP250N10K , HRLP33N03K , HRLP370N10K , HRLP40N04K , HRLP55N03K , HRLP72N06 , 75N75 , HRLT1B0N10K , HRLU125N06K , HRLU150N10K , HRLU1B8N10K , HRLU370N10K , HRLU55N03K , HRLU80N06K , HRLW250N10K .

History: IRLS4030-7PPBF | IRFL1006PBF | MS10N65 | SML501R1GN | APT10045B2FLLG | IPI120N06S4-H1 | R6520ENX

 

 
Back to Top

 


 
.