HRLP80N06K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HRLP80N06K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HRLP80N06K
HRLP80N06K Datasheet (PDF)
hrlp80n06k.pdf

Sep 2015 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 6.3m HRLP80N06K ID = 80 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 100 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.3 m (Typ.) @VG
Другие MOSFET... HRLP125N06K , HRLP150N10K , HRLP250N10K , HRLP33N03K , HRLP370N10K , HRLP40N04K , HRLP55N03K , HRLP72N06 , RU6888R , HRLT1B0N10K , HRLU125N06K , HRLU150N10K , HRLU1B8N10K , HRLU370N10K , HRLU55N03K , HRLU80N06K , HRLW250N10K .
History: BLP039N08-D
History: BLP039N08-D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor