HRP130N06K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HRP130N06K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 42 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 220 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.013 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HRP130N06K
HRP130N06K Datasheet (PDF)
hrp130n06k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
December 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ =10.5m HRP130N06K ID = 70 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 42 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 10.5 m (Typ.
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .