HRP140N06K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRP140N06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRP140N06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP140N06K даташит

 ..1. Size:1018K  semihow
 hrp140n06k.pdf pdf_icon

HRP140N06K

December 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 11.5m HRP140N06K ID = 40 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 11.5 m (Typ

Другие IGBT... HRLU150N10K, HRLU1B8N10K, HRLU370N10K, HRLU55N03K, HRLU80N06K, HRLW250N10K, HRP100N08K, HRP130N06K, IRFB31N20D, HRP180N10K, HRP30N04K, HRP33N04K, HRP35N04K, HRP35N06K, HRP370N10K, HRP40N08K, HRP45N06K