HRP180N10K - аналоги и даташиты транзистора

 

HRP180N10K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HRP180N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HRP180N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP180N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  semihow
 hrp180n10k.pdf pdf_icon

HRP180N10K

December 2014 BVDSS = 100 V RDS(on) typ =15 m HRP180N10K ID = 65 A 100V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 85 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 15 m (Typ.)

Другие MOSFET... HRLU1B8N10K , HRLU370N10K , HRLU55N03K , HRLU80N06K , HRLW250N10K , HRP100N08K , HRP130N06K , HRP140N06K , IRF1405 , HRP30N04K , HRP33N04K , HRP35N04K , HRP35N06K , HRP370N10K , HRP40N08K , HRP45N06K , HRP45N08K .

History: 2N6761 | CEP60N06G | PSMN1R6-30PL | STB75NH02LT4 | CED02N7G-1 | PKCS0BB

 

 
Back to Top

 


 
.