HRP180N10K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRP180N10K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRP180N10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP180N10K даташит

 ..1. Size:901K  semihow
 hrp180n10k.pdf pdf_icon

HRP180N10K

December 2014 BVDSS = 100 V RDS(on) typ =15 m HRP180N10K ID = 65 A 100V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 85 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 15 m (Typ.)

Другие IGBT... HRLU1B8N10K, HRLU370N10K, HRLU55N03K, HRLU80N06K, HRLW250N10K, HRP100N08K, HRP130N06K, HRP140N06K, STP65NF06, HRP30N04K, HRP33N04K, HRP35N04K, HRP35N06K, HRP370N10K, HRP40N08K, HRP45N06K, HRP45N08K