Справочник MOSFET. HRP33N04K

 

HRP33N04K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRP33N04K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HRP33N04K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP33N04K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:936K  semihow
 hrp33n04k.pdf pdf_icon

HRP33N04K

December 2014 BVDSS = 40 V RDS(on) typ = 2.7m HRP33N04K ID = 180 A 40V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 155nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 2.7 m (Typ.)

Другие MOSFET... HRLU55N03K , HRLU80N06K , HRLW250N10K , HRP100N08K , HRP130N06K , HRP140N06K , HRP180N10K , HRP30N04K , MMIS60R580P , HRP35N04K , HRP35N06K , HRP370N10K , HRP40N08K , HRP45N06K , HRP45N08K , HRP56N08K , HRP58N06K .

History: SI2301BDS-T1-GE3 | SSW4668 | SDF044 | FDR840P | SWD4N70K | 2N5670

 

 
Back to Top

 


 
.