HRP33N04K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HRP33N04K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HRP33N04K
HRP33N04K Datasheet (PDF)
hrp33n04k.pdf

December 2014 BVDSS = 40 V RDS(on) typ = 2.7m HRP33N04K ID = 180 A 40V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 155nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 2.7 m (Typ.)
Другие MOSFET... HRLU55N03K , HRLU80N06K , HRLW250N10K , HRP100N08K , HRP130N06K , HRP140N06K , HRP180N10K , HRP30N04K , MMIS60R580P , HRP35N04K , HRP35N06K , HRP370N10K , HRP40N08K , HRP45N06K , HRP45N08K , HRP56N08K , HRP58N06K .
History: SGW100N025 | RD3T100CN | NTD4963NG | STI33N65M2 | RU306C | WMP08N70EM | JS65R170CM
History: SGW100N025 | RD3T100CN | NTD4963NG | STI33N65M2 | RU306C | WMP08N70EM | JS65R170CM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor