HRP33N04K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRP33N04K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRP33N04K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP33N04K даташит

 ..1. Size:936K  semihow
 hrp33n04k.pdf pdf_icon

HRP33N04K

December 2014 BVDSS = 40 V RDS(on) typ = 2.7m HRP33N04K ID = 180 A 40V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 155nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 2.7 m (Typ.)

Другие IGBT... HRLU55N03K, HRLU80N06K, HRLW250N10K, HRP100N08K, HRP130N06K, HRP140N06K, HRP180N10K, HRP30N04K, 7N60, HRP35N04K, HRP35N06K, HRP370N10K, HRP40N08K, HRP45N06K, HRP45N08K, HRP56N08K, HRP58N06K